Opciones de matriculación

Estado Sólido

Código: 25207

Profesores:

  • Rogelio Ospina Ospina, Ph.D

  • Ángel Manuel Meléndez Reyes, Ph.D

  • David Alejandro Miranda Mercado, Ph.D

 

Intensidad académica

  • 64 horas en el semestre de acompañamiento directo: 4 horas semanales por 16 semanas

  • Mínimo 8 horas semanales de trabajo individual: se usará la estrategia JiTT del Aprendizaje Activo, implementada en un aula virtual Moodle ( tic.uis.edu.co ).

  • Horario de clases:

    • Viernes 4:00 pm -  6:00 pm, Guatiguará

    • Sábado 8:00 am - 10:00 am, Guatiguará

 

Metodología

El curso se desarrollará por medio de la implementación del aprendizaje activo, aprendizaje mediado y diseño de experimentos para las sesiones prácticas.  Para ello se contará con Objetos Virtuales de Aprendizaje implementados en la plataforma Moodle, donde se contará con Cuestionarios de Preparación de Sesión (CPS), sesiones de trabajo en el aula y sesiones experimentales.

Contenido

  1. Introducción
  2. Estructura cristalina
  3. Fenómenos de superficie
  4. Estructura de bandas fonónicas
  5. Defectos en sólidos y no estequimetría
  6. Estructura de bandas electrónicas
  7. Propiedades ópticas

Bibliografía

  • Yu Peter and Cardona Manuel. Fundamentals of Semiconductors.  New York: Springer, 2008.

  • Kittel, Introduction to Solid State Physics.

  • Pankove Jacques.  Optical processes in Semiconductors.  New York: Dove, 1971.

  • Cohen and Chelikowsky.  Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors. New York: Springer, 1989

  • L.E. Smart, E.A. Moore, Solid State Chemistry, 3a ed. Taylor & Francis. Cap. 1, 9

  • W. Plieth, Electrochemistry for Materials Science. Elsevier, Países Bajos, 2008. Cap. 9

  • V.K. Pecharsky, P.Y. Zavalij, Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials, 2a ed. Springer, Nueva York, 2009.

  • D. Balzar, N. Audebrand, M. Daymond, A. Fitch, A. Hewat, J.I. Langford, A. Le Bail, D. Louër, O. Masson, C.N. McCowan, N.C. Popa, P.W. Stephens, B. Toby, J. Appl. Crystallogr. 37 (2004) 911-924.

  • J.L. Jambor, J. E. Dutrizac, Chem. Rev. 1998, 98, 2549.

  • S. Kharbish, E. Libowitzky, A. Beran, Eur. J. Mineral. 2009, 21, 325.
Los invitados no pueden entrar a este curso. Por favor acceda con sus datos.